Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Bang Arizona 3 (PVRD)

• Tên dự án: Đẩy mạnh giới hạn của pin mặt trời liên kết silicon: Chứng minh hiệu quả 26% và cải thiện năng suất điện
• Cơ hội tài trợ: PVRD
• Chương trình con SunShot: Quang điện
• Vị trí: Tempe, AZ
• Số tiền thưởng SunShot: $ 837.044
• Chia sẻ chi phí người nhận giải: $ 92.991
• Điều tra viên dự án: Stuart Bowden

Dự án này kiểm tra khả năng sản xuất của tế bào dị liên kết silicon công nghiệp loại n và phát triển các phương pháp để cải thiện năng suất năng lượng và tăng sức hấp dẫn của loại tế bào này đối với các nhà sản xuất. Nghiên cứu được thực hiện sẽ giúp cải thiện hiệu suất tế bào lên 2% và giảm chi phí của tế bào bằng cách cải thiện năng suất điện dựa trên một loạt các cải tiến xử lý mới. Dự án cũng nhằm chứng minh tính khả thi của việc sử dụng các tế bào mỏng hơn để tăng tuổi thọ của tấm wafer và đạt được hiệu suất kỷ lục 26%. Kiến thức thu thập được từ nghiên cứu này được kỳ vọng sẽ giúp cải thiện việc sản xuất các tế bào dị liên kết silicon trong thời gian gần đến trung hạn và giảm chi phí lắp đặt điện mặt trời.

TIẾP CẬN

Dự án sẽ tạo ra các tế bào dị liên kết silicon trên tấm wafer được xẻ từ các thỏi silicon loại n từ các nhà cung cấp khác nhau và phân tích hiệu suất của chúng như một hàm của khuyết tật khối lượng lớn, điện trở suất của tấm wafer và khuyết tật cưa. Dựa trên kết quả phân tích, nhóm nghiên cứu sẽ đề xuất các phương pháp tốt nhất để giảm sự biến đổi của chất lượng tấm wafer. Điều này bao gồm tối ưu hóa quá trình ủ trước, loại bỏ hư hỏng, tạo kết cấu, làm sạch, sử dụng khuếch tán ánh sáng bổ sung và xử lý plasma khô của tấm wafer trước khi lắng đọng silicon vô định hình. Dự án cũng sẽ chứng minh tính khả thi của việc sử dụng các tế bào mỏng hơn để tăng tuổi thọ lớn của tấm wafer và sử dụng các phương pháp đã phát triển để đạt được hiệu suất kỷ lục 26%.

SỰ ĐỔI MỚI

Dự án sẽ tập trung vào các cải tiến đối với công nghệ tế bào dị liên kết silicon công nghiệp có thể được chuyển giao cho các dây chuyền sản xuất trong 1-3 năm. Nghiên cứu tế bào dị liên kết silicon trong vài năm qua sẽ được hợp nhất để phát triển hơn nữa một số công nghệ quan trọng, đạt hiệu suất cao hơn 1-2% cho cả tế bào công nghiệp diện tích lớn và tế bào ghi diện tích nhỏ để thu hút các đối tác trong ngành chuyển giao công nghệ đã phát triển trong sản xuất.

>>Xem thêm:

Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Bang Arizona 2 (PVRD)

Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Central Florida (PVRD)

Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Delaware 1 (PVRD)