- Tên dự án: Tạo mẫu nhanh và cấu trúc thiết bị nâng cao cho tế bào silicon IBC tinh thể có thể sản xuất chi phí thấp
- Cơ hội tài trợ: PVRD
- SunShot Chương trình con: Quang điện
- Địa điểm: Newark, DE
- SunShot Giải thưởng Số tiền: $ 1,124,491
- Chi phí người nhận giải Chia sẻ: $ 125,084
- Điều tra viên dự án: Steven Hegedus
Dự án này đang phát triển một phương pháp mới để sản xuất pin mặt trời xen kẽ (IBC) với các điểm tiếp xúc bằng kim loại ở mặt sau của tấm wafer, cho phép thu được nhiều ánh sáng hơn trên bề mặt phía trước do không có lưới che bóng. Quy trình mới sẽ sử dụng cách tạo hình laser trực tiếp của các điện cực kim loại để cô lập các tiếp điểm âm và dương, cũng như bắn laser các chất pha tạp để tạo ra các vùng tiếp xúc cục bộ giữa kim loại và tấm silicon.
TIẾP CẬN
Nhóm nghiên cứu sẽ làm việc để phát triển một chiến lược tạo hình bề mặt sau bằng cách sử dụng laser tạo hình trực tiếp cho các điện cực kim loại để cô lập các tiếp điểm âm và dương. Chiến lược này cũng sử dụng tia laser bắn các chất pha tạp để tạo ra các vùng tiếp xúc cục bộ rất nhỏ giữa kim loại và tấm silicon, điều này có thể thích hợp để sản xuất nhanh chóng với năng suất cao và tránh làm suy giảm hoặc làm hỏng giao diện. Nhóm cũng sẽ tạo ra một cấu trúc thiết bị và sơ đồ thụ động bề mặt tương thích với quy trình tạo mẫu chi phí thấp, đồng thời tích hợp xử lý bề mặt sau với các điện cực kim loại.
SỰ ĐỔI MỚI
Pin mặt trời IBC đã đạt được hiệu suất rất cao vì các điểm tiếp xúc kim loại ở mặt sau của tấm wafer cho phép thu ánh sáng lớn hơn trên bề mặt phía trước do không có lưới che bóng. Tuy nhiên, chi phí cao hơn so với các tế bào silicon tiêu chuẩn do những thách thức trong việc tạo khuôn mẫu và cách ly các điện cực âm và dương trên bề mặt sau. Dự án này sẽ cho phép một chiến lược tạo mẫu mới, chi phí thấp cho lớp kim loại của tế bào IBC mà không phá vỡ các lớp bảo vệ chất lượng cao trên bề mặt phía sau. Kết quả sẽ là tế bào IBC silicon có chi phí thấp hơn với hiệu suất 25%, dẫn đến chi phí năng lượng được quy đổi dưới 0,06 đô la mỗi kilowatt giờ.
>>Xem thêm:
Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Bang Arizona 2 (PVRD)
Dự án nghiên cứu quang điện: Đại học Central Florida (PVRD)
Intech Energy – Tổng hợp
